芯片制造接近物理极限 三星恐慌中国半导体企业超越

当代财经网讯 韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18纳米DRAM，目前正研发17纳米DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后。

三星从20纳米制程(28→25→20)，转进10纳米制程(18→17)，缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队，因为由此开始，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，需要开发新的材质。

三星设备解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun-seung说，为了继续缩小线宽，必须开发与当前不同的新材质，并提高制程稳定性，以便进入量产。

业界人士估计，15纳米或许是制程微缩的极限，未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并担忧中国业者急起直追，赶上三星。